2024年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置“的专利，公开号CN117637681A，申请日期为2023年8月。

专利摘要显示，一种半导体装置可包括衬底上的下金属布线、下金属布线上的第一上层间绝缘层、第一上层间绝缘层中的包括第一上穿通件的第一上布线和第一上层间绝缘层上的第一上金属图案。该半导体装置还可包括第一上层间绝缘层上的第二上层间绝缘层、第二上层间绝缘层中的包括最上面的穿通件的最上面的布线、第二上层间绝缘层上的最上面的金属图案、以及第二上层间绝缘层上的用于供应氢的氧化物层。下金属布线可按照多层堆叠。用于供应氢的氧化物层可覆盖最上面的布线。最上面的穿通件的厚度可小于最上面的金属图案的厚度的40％。